SALELF3硬件设计指导

一.序言

EF3系列FPGA硬件设计涉及多个数据手册和设计指南,为了方便开发人员快速查阅和理解硬件设计要点,本文档整合了安路科技官方发布的相关资料,包括:

本文档按照电源设计、IO设计、PCB设计、检查清单等章节组织,涵盖了硬件设计的核心要点,旨在为硬件工程师提供便捷的设计参考。

注意事项:

二.文档参考

文档名称 文档编号 适用器件 说明
ELF3L15&ELF3L25&EF3L45数据手册 DS500_2512.pdf EF3L15, EF3L25, EF3L45 小规模器件电气特性
ELF3L40&ELF3L50&EF3L90&EF3LA0数据手册 DS600_2512.pdf EF3L40, EF3L50, EF3L90, EF3LA0 中大规模器件电气特性
EF3L15CG256硬件设计指南 UG501_2401.pdf EF3L15CG256 小规模器件详细设计指导
EF3L40&90硬件设计指南 UG602_2210.pdf EF3L40, EF3L90 中规模器件详细设计指导
EF3系列FPGA硬件设计指南 UG603_2406.pdf 全系列 通用设计指导(含PCB设计)

引脚映射表:

三.EF3系列器件分类

EF3系列FPGA器件按照封装和逻辑资源可分为三个主要规模,每个规模的设计特性相似:

小规模系列

中规模系列

大规模系列

四.EF3系列选型参考

EF3硬件选型表

选型建议:

  1. 逻辑资源需求: 根据设计所需的LUT、触发器、BRAM等资源选择合适的器件
  2. IO数量需求: 根据外设接口数量选择IO充足的封装
  3. 特殊功能需求:
    • 需要高速接口(DDR、LVDS等)时,选择支持的IO Bank
    • 需要热插拔功能时,注意选择支持热插拔的引脚
    • 需要5V兼容输入时,确认器件支持并正确设计
  4. 封装类型: 根据PCB布局和空间限制选择合适的封装
  5. 成本考虑: 在满足需求的前提下,选择成本最优的方案

电源设计

五.VCCIO电源设计

VCCIO为IO Bank供电电压,不同Bank可以配置不同的电压等级,以支持不同的IO标准。

电压范围:

VCCIO标准 最小值 典型值 最大值 单位
3.3V 3.135 3.3 3.465 V
2.5V 2.375 2.5 2.625 V
1.8V 1.71 1.8 1.89 V
1.5V 1.425 1.5 1.575 V
1.2V 1.14 1.2 1.26 V

设计要点:

  1. VCCIO0特殊要求:
    • VCCIO0 ≥ 1.5V (POR上电检测必须供电)
    • 如果使用JTAG下载,需要和下载器供电电压保持一致
  2. 其他VCCIO Bank:
    • 最小值 ≥ 1.2V
    • 建议所有VCCIO Bank都供电,避免潜在漏电流风险
    • 不使用的Bank也应供电,保持IO在已知状态
  3. LVDS接口要求:
    • EF3L40和EF3L90: 使用LVDS的BANK供电电压应≥2.5V
    • EF3LA0、EF3L70和EF3L50: 使用LVDS的BANK供电电压应≥1.8V
  4. 电源引脚数量 (以EF3L90CG400B为例):
    • VCCIO共有20个,分布在BANK0-BANK5
    • 具体位号请参考对应的PINLIST文档

VCCAUX电源设计

VCCAUX为芯片辅助电源,给内部逻辑供电,是芯片正常工作的关键电源。

电压范围:

参数 最小值 典型值 最大值 单位
VCCAUX 2.375 2.5/3.3 3.63 V

设计要点:

  1. 必须供电: VCCAUX是POR上电检测电源,必须连接
  2. 电压要求: ≥ 2.5V (推荐2.5V或3.3V)
  3. 接最高电压: VCCAUX应接芯片最高IO电压,以保证兼容性
  4. 特殊引脚限制:
    • EF3L90CG400的Y2脚作为输入时,不得接入高于VCCAUX的电平
    • EF3L15CG256的G12、F15引脚电平不得高于VCCAUX
  5. 电源引脚数量 (以EF3L90CG400B为例):
    • VCCAUX共有10个
    • 具体位号请参考对应的PINLIST文档

GND设计

设计要点:

  1. 接地引脚数量充足: 确保所有GND引脚都良好接地
  2. 接地完整性: 保证接地网络的低阻抗连接
  3. 接地回流路径: 为高速信号提供最短的接地回流路径

电源引脚数量汇总 (以EF3L90CG400B为例):

电源电压范围要求

基本操作条件:

Symbol 参数 最小 典型 最大 单位
VCCAUX 辅助电源 2.375 2.5/3.3 3.63 V
VCCIO I/O供电电压@3.3V 3.135 3.3 3.465 V
VCCIO I/O供电电压@2.5V 2.375 2.5 2.625 V
VCCIO I/O供电电压@1.8V 1.71 1.8 1.89 V
VCCIO I/O供电电压@1.5V 1.425 1.5 1.575 V
VCCIO I/O供电电压@1.2V 1.14 1.2 1.26 V
VI 直流输入电压-增强型IO -0.3 VCCIO+0.3 V
VO 输出电压 0 VCCIO V

最大绝对额定值:

Symbol 参数 最小 最大 单位
VCCAUX 辅助电源 -0.5 3.75 V
VCCIO I/O驱动供电电压 -0.5 3.75 V
VI 直流输入电压-增强型IOBE -0.5 3.75 V
TJ 结点温度 -40 125

电源上电时序要求

上电时序:

EF3系列器件无上电时序要求,各电源可以任意顺序上电。

下电时序:

大部分场景无下电时序要求,只有一种特殊情况:

例外情况:

上电复位电压阈值:

Symbol 参数 最小 典型 最大 单位
VCCAUX_PORUP VCCAUX上电检测阈值 1.5 1.55 1.6 V
Vccio Vccio上电检测 0.95 1.0 1.05 V
VCCAUX_PORDN VCCAUX掉电检测阈值 1.5 V

时序参数:

上电过程:

  1. 电源上电过程中(PhaseRAMP),所有IO处于三态
  2. 上电完成后,芯片开始配置
  3. 配置完成后,进入用户模式

电源退耦电容配置

为确保电源质量,需要为每个电源域放置一定数量和容量的退耦电容。

退耦电容数量表 (参考UG603):

封装 VCCAUX   VCCIO  
  4.7uF 0.47uF 4.7uF 0.1uF
EF3L40CG324 1 9 1 17
EF3L40CG332 1 7 1 16
EF3L50CG256 1 7 1 15
EF3L70CG256 1 7 1 15
EF3L90CG324 1 9 1 17
EF3L90CG400 1 9 1 19
EF3LA0CG484 1 11 2 34
EF3LA0CG642 2 18 2 55

电容选型建议:

  1. 材质选择: 优先选择X7R、X5R材质,具有较好的温度稳定性
  2. ESR要求: 优先选择ESR小的电容,以优化PDN(电源分配网络)
  3. 布局要求:
    • 小容量电容(0.1uF, 0.47uF)靠近管脚放置
    • 大容量电容(4.7uF)可排布在BGA外围
    • 电解电容建议放在开关电源芯片附近
  4. BGA芯片下方:
    • 尽量保证每个电源pin放置1个去耦电容
    • 小容量电容优先

六.IO设计

配置相关IO–JTAG

JTAG接口用于芯片配置、边界扫描和调试。

JTAG引脚定义:

引脚名称 方向 描述 上下拉标准 EF3L15CG256B
(BGA256)
EF3L40CG324
(aBGA324)
EF3L40CG332B
(BGA332)
EF3L50CG256B
(BGA256)
EF3L90CG400B
(BGA400)
EF3LA0CG484B
(BGA484)
EF3LA0CG642B
(BGA642)
TCK 输入 时钟引脚,上升沿有效 4.7K下拉到GND A7 C7 A8 A7 C9 D10 F10
TMS 输入 状态机控制引脚,高电平有效 4.7K上拉到VCCIO B8 C8 C9 B8 D9 C10 G10
TDI 输入 数据输入引脚,高电平有效 4.7K上拉到VCCIO A6 C6 B7 A6 C7 E9 B9
TDO 输出 数据输出引脚,高电平有效 4.7K上拉到VCCIO C6 D7 C7 C6 E8 E8 C9
JTAGEN 输入 JTAG使能信号,高电平有效 4.7K上拉到VCCIO C10 D11 C13 C10 C13 E14 D18

设计要点:

  1. 电阻配置:
    • TCK通过4.7K欧姆电阻下拉到GND
    • TDI、TDO、TMS、JTAGEN通过4.7K欧姆电阻上拉到VCCIO
  2. IO复用: JTAG引脚可作为普通IO使用时,只能做输出,且必须保留4.7K上下拉电阻

  3. 电压匹配: JTAG下载时,VCCIO0需要和下载器供电电压保持一致

配置相关IO–Flash配置

EF3系列支持内置Flash配置,可通过以下引脚进行数据加载。

Flash配置引脚定义:

引脚名称 描述 上下拉标准 EF3L15CG256B EF3L40CG324 EF3L40CG332B EF3L50CG256B EF3L90CG400B EF3LA0CG484B EF3LA0CG642B
SCLK 串行时钟 4.7K上拉到VCCIO R12 P17 M16 P6 P18 T9 Y9
CSN 片选信号,低电平有效 4.7K上拉到VCCIO F13 L15 W20 R12 M15 AB21 AC21
D0 数据引脚0 4.7K上拉到VCCIO G2 M14 P16 L15 N15 U22 Y24
D1 数据引脚1 4.7K上拉到VCCIO G3 N16 R16 M16 N14 U21 AA24
D2 数据引脚2 4.7K上拉到VCCIO K3 L14 P19 J11 N16 V22 Y23
D3 数据引脚3 4.7K上拉到VCCIO K2 N17 P18 L12 R19 W22 Y22
D4 数据引脚4 4.7K上拉到VCCIO L2 L17 N20 P15 P20 U19 Y21
D5 数据引脚5 4.7K上拉到VCCIO M1 M16 N19 R16 P19 U18 W21
D6 数据引脚6 4.7K上拉到VCCIO R9 K14 M19 N16 M17 Y22 AB23
D7 数据引脚7 4.7K上拉到VCCIO - J18 M18 N14 N20 W21 AB24
SI 串行数据输入 4.7K上拉到VCCIO - - - P13 - AA21 AC22
SO 串行数据输出 4.7K上拉到VCCIO - - - T6 - U9 AA9
CSON 片选信号,低电平有效 4.7K上拉到VCCIO - L18 L18 - M20 - E14
DOUT 数据输出 4.7K上拉到VCCIO - L18 L18 - M20 - E14

配置模式:

EF3系列支持以下配置模式:

配置模式 说明 数据位宽
SS (Slave Serial) 从动串行配置 1位
SP (Slave Parallel) 从动并行配置 8位
MP (Master Parallel) 主动并行配置 8位
MSPI X1/X2/X4 内部SPI Flash配置 1/2/4位
JTAG JTAG配置 1位

设计要点:

  1. 引脚预留: 根据实际使用的配置模式,预留相应的配置引脚

  2. 上拉电阻: 所有配置引脚都需要4.7K上拉到VCCIO

  3. JTAG模式: 只有JTAG模式支持内置Flash的刷新与配置回读

  4. 配置方式: 配置方式通过软件界面设置,下载位流时自动写入到内置Flash

配置相关IO–指示信号

配置指示信号用于指示FPGA的配置状态。

配置指示引脚定义:

引脚名称 方向 描述 上下拉标准 EF3L15CG256B EF3L40CG324 EF3L40CG332B EF3L50CG256B EF3L90CG400B EF3LA0CG484B EF3LA0CG642B
PROGRAMN 输入 全局复位输入,低有效 4.7K上拉到VCCIO B10 D12 A14 B10 D13 E15 E17
DONE 输出 配置完成后输出高,源端开路;用户模式可复用为USER I/O 4.7K上拉到VCCIO C13 E14 B17 C13 A19 E17 F19
INITN 输出 FPGA准备好配置时输出高,源端开路;用户模式可复用为USER I/O 4.7K上拉到VCCIO A13 C16 A17 A13 C17 F16 G19

设计要点:

  1. 内部弱上拉: DONE/INITN是带内部弱上拉的开漏输出,但为避免外部电源不稳造成芯片循环重启,要求通过外部电阻上拉到VCCIO

  2. 信号复用: PROGRAMN、INITN、DONE、JTAGEN这些配置指示引脚的复用可能会导致重新加载等问题
    • 不建议复用为输入管脚
    • 可以复用为输出管脚使用
  3. 配置逻辑:
    • PROGRAMN: 拉低触发FPGA重新配置
    • INITN: 输出高表示FPGA准备好配置,输出低表示配置错误
    • DONE: 输出高表示配置成功完成

配置IO在上电阶段的状态

FPGA在上电后,配置IO的状态取决于器件类型和配置参数。

EF3L15&EF3L25&EF3L45

非配置相关IO状态:

  1. 上电完成后,feature寄存器加载前: 非配置相关IO处于三态
  2. 加载过程中: 普通IO的状态受HSWAPEN控制,可以为弱上拉或者三态
  3. 进入用户模式后:
    • 用户使用的IO脚状态受代码控制
    • 未使用的管脚为弱上拉状态

配置相关IO状态:

Pin 配置成功前 HSWAPEN=0 (enable) 配置成功前 HSWAPEN=1 (disable) 配置成功后
PROGRAMN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 ProgPin 设置
INITN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 InitPin 设置
DONE Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 DonePin 设置
SCLK Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
CSN Pull-down to Gnd Pull-down to Gnd User I/O
TMS TCK TDO TDI JTAGEN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 JtagPin 设置
D[7:2] Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
D[1] Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
D[0]/DIN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
CSON/DOUT Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
Others¹ Pull-up to Vccio High-Z User I/O

特殊IO状态:

EF3L15&EF3L25&EF3L45系列的16个引脚在配置前和加载过程中,都处于弱上拉状态,不可控制:

EF3L15和EF3L45的额外限制:

EF3L15CG256、EF3L45CG256、EF3L45CG256BH的以下引脚在配置成功前的IO状态一直为Pull-up to Vccio(无论HSWAPEN=0或HSWAPEN=1):

EF3L40和EF3L90

非配置相关IO状态:

  1. 上电完成后,feature寄存器加载前: 非配置相关IO处于弱上拉
  2. 加载过程中: 普通IO的状态受HSWAPEN控制,可以为弱上拉或者三态
  3. 进入用户模式后:
    • 用户使用的IO脚状态受代码控制
    • 未使用的管脚为弱上拉状态

配置相关IO状态:

Pin 配置成功前 HSWAPEN=0 (enable) 配置成功前 HSWAPEN=1 (disable) 配置成功后
PROGRAMN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 ProgPin 设置
INITN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 InitPin 设置
DONE Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 DonePin 设置
SCLK Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
CSN Pull-down to Gnd Pull-down to Gnd User I/O
TMS TCK TDO TDI JTAGEN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 JtagPin 设置
D[7:2] Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
D[1] Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
D[0]/DIN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O
CSON/DOUT Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio User I/O

EF3LA0、EF3L70和EF3L50

非配置相关IO状态:

EF3LA0、EF3L70和EF3L50器件在上电完成后的状态取决于VERSION寄存器值:

器件 VERSION 上电完成后,feature寄存器加载前 不断电重加载,feature寄存器加载前
EF3L40, EF3L90 - 弱上拉 弱上拉
EF3L50CG256B, EF3L70CG256B, EF3LA0CG484B, EF3LA0CG642B 3’b000 三态 保持重加载前 feature 设置
EF3L50CG256B, EF3L70CG256B, EF3LA0CG484B, EF3LA0CG642B 3’b010 弱下拉 保持重加载前 feature 设置
EF3L50CG256BE, EF3L70CG324BE, EF3LA0CG484BE 3’b000 弱下拉 保持重加载前 feature 设置

说明:

  1. EF3LA0,EF3L50,EF3L70器件的VERSION可通过EF3_LOGIC_DEVICE_VERSION_V2原语进行查询
  2. EF3器件重加载包括调用DUAL BOOT,MULTI BOOT功能,及不断电情况下进行复位操作

配置相关IO状态:

Pin 配置成功前 HSWAPEN=0 (enable) 配置成功前 HSWAPEN=1 (disable) 配置成功后
PROGRAMN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 ProgPin 设置
INITN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 InitPin 设置
DONE Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 DonePin 设置
SCLK Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 SspiPin 设置
CSN Pull-down to Gnd Pull-down to Gnd 软件 SspiPin 设置
TMS TCK TDO TDI JTAGEN Pull-up to Vccio Pull-up to Vccio 软件 JtagPin 设置
D[7:0]¹ Pull-down to Gnd Pull-down to Gnd User I/O
CSON/DOUT¹ Pull-down to Gnd High-Z User I/O
Others(User IO) Pull-down to Gnd High-Z User I/O

说明: EF3LA0、EF3L70和EF3L50器件的D[7:0]和CSON/DOUT为内部测试相关引脚

StateHold IO功能

StateHold功能用于维持在线升级时IO状态保持不变。

器件支持情况:

器件型号 StateHold 功能
EF3L40, EF3L90 不支持
EF3L50CG256B, EF3L70CG256B, EF3LA0CG484B, EF3LA0CG642B 部分 IO 不支持
EF3L50CG256BE, EF3L70CG324BE, EF3LA0CG484BE 所有 IO 均支持 StateHold IO 功能

设计要点:

  1. 功能作用: 维持在线升级时IO状态保持不变

  2. 不可StateHold的IO:

    • 在手册文档”引脚和封装”章节中,每个封装都会标明不可StateHold的IO
    • 设计时需避开这些引脚,或确认不影响系统功能

StateHold IO示意图

EF3系列配置模式对比表

器件型号 SS(从动串行) SP(从动并行) MP(主动并行) MSPI(内部 Flash) JTAG SSPI(硬 SPI) I²C(硬 I²C) 备注
EF3L15      
EF3L45      
EF3L40      
EF3L50        
EF3L70        
EF3L90      
EF3LA0        

单端IO电气特性

直流电气特性:

Symbol 参数 条件 最小 典型 最大 单位
I_IL, I_IH 输入漏电电流 0 ≤ VI ≤ VCCIO - 0.5V -15 15 uA
I_IH 输入漏电电流 VCCIO - 0.5V ≤ VI ≤ VIH_MAX 150 uA
V_HYST 施密特触发器输入迟滞电压 VCCIO = 3.3V 350 mV
    VCCIO = 2.5V 260 mV
    VCCIO = 1.8V 130 mV
    VCCIO = 1.5V 70 mV
I_PU I/O 弱上拉电流 35 250 uA
I_PD I/O 弱下拉电流 35 250 uA
I_BHLS 总线保持 0 维持电流 40 uA
I_BHHS 总线保持 1 维持电流 40 uA
I_BHLO 总线保持 0 改写电流 0 ≤ Vi ≤ VCCIO 350 uA
I_BHHO 总线保持 1 改写电流 0 ≤ Vi ≤ VCCIO 350 uA
V_BHT 总线保持触发电平 VIL_max VIH_min V

单端IO电压标准

输出电压标准:

标准 V_IL (V) V_IH (V) V_OL 最大 (V) V_OH 最小 (V) I_OL (mA) I_OH (mA)  
LVTTL33 -0.3 0.8 2.0 0.4 4 -4  
LVCMOS33 -0.3 0.8 2.0 0.4 8 -8  
          12 -12  
          16 -16  
          20 -20  
LVCMOS25 -0.3 0.7 1.7 0.4 4 -4  
          8 -8  
          12 -12  
          16 -16  
LVCMOS18 -0.3 0.35 × VCCIO 0.65 × VCCIO 0.4 4 -4  
          8 -8  
          10 -10  
LVCMOS15 -0.3 0.35 × VCCIO 0.65 × VCCIO 0.4 4 -4  
          8 -8  
LVCMOS12 -0.3 0.35 × VCCIO 0.65 × VCCIO 0.4 4 -4  
PCI33 -0.3 0.3 × VCCIO 0.5 × VCCIO 0.1 × VCCIO 0.9 × VCCIO 1.5 -0.5

单端IO输入兼容性

输入标准与VCCIO兼容性:

输入标准 VCCIO / VCCIO0 (典型值)        
  3.3V 2.5V 1.8V 1.5V 1.2V
LVTTL33 ✓² ✓² ✓² ✓²
LVCMOS33 ✓² ✓² ✓² ✓³
LVCMOS25 ✓¹ ✓² ✓² ✓²
LVCMOS18   ✓¹ ✓² ✓²
LVCMOS15     ✓¹ ✓²
LVCMOS12       ✓¹

说明:

  1. 驱动能力限制: VCCIO电压低于IO标准要求的电压时,驱动能力不足,IO处于逻辑高电平时会导致更高的直流电流
  2. PCI Clamp限制: 不能打开PCI-clamp和OverDriven,否则会产生漏电流

热插拔特性

热插拔规格:

Symbol 参数 最大 单位
IIOPIN(DC) DC电流,每个I/O 1 mA
IIOPIN(AC) AC电流,每个I/O 8 mA

器件支持情况:

器件系列 支持情况 不支持热插拔的引脚
EF3L40 所有引脚均支持 -
EF3L50 所有引脚均支持 -
EF3LA0 所有引脚均支持 -
EF3L15&EF3L25&EF3L45 部分引脚不支持 F8, D9, F7, E8, C9, A9, A8, C8, F14, G13, J12, H13, E16, F12, D15, G12, F15
EF3L90CG400 部分引脚不支持 Y2, U4, U5, T5, R5, R7, P7, W3, Y3

设计要点:

  1. 信号上升时间: 热插拔信号要求上升时间≥10ns
  2. 电流限制:
    • DC电流: 每个I/O最大1mA
    • AC电流: 每个I/O最大8mA
  3. 引脚选择: 有热插拔需求时,应避开不支持热插拔的引脚

5V兼容输入设计

器件支持情况:

器件 支持方式 设计要求
EF3L15CG256 IOBB OverDriven 在OverDriven打开情况下支持5V直接输入
EF3L15CG256 IOBE 外部电阻+PCI Clamp 需要外部串联电阻,同时IO Constraints中打开内部钳位二极管
EF3L90&EF3L40 外部电阻+PCI Clamp 不能直接接收5V输入,需要外部串联电阻,同时IO Constraints中打开PCI Clamp = ON
EF3L50/EF3L70/EF3LA0 外部电阻+PCI Clamp 需要外部串联电阻,同时IO Constraints中打开PCI Clamp = ON

设计要点:

  1. 外部电阻: 所有不直接支持5V输入的IO都需要外部串联电阻
  2. 软件配置: 在IO Constraints中打开PCI Clamp = ON
  3. 电压限制:
    • 设计完成后,应确认电路板PAD上的电压不超过3.75V
    • 5V信号不能在进入用户模式前接入,否则要外接二极管
  4. 耐压限制:
    • EF3L90CG400的Y2引脚不得接入大于芯片供电电压(VCCAUX)的电平信号
    • EF3L15CG256的G12、F15引脚电平不得高于VCCAUX

PCI箝位二极管电流特性:

VD (V) Imax
0.0 0.92 μA
0.1 9.2 μA
0.2 20 μA
0.3 30.4 μA
0.4 43.3 μA
0.5 76.5 μA
0.6 0.15 mA
0.7 0.36 mA
0.8 2.85 mA
0.9 9.42 mA

输入信号过冲/下冲限制

信号在跳变过程中可能会产生过冲或下冲,为保证10年使用寿命,允许的最大过冲、下冲占比如下:

10年使用寿命下允许的最大过冲、下冲占比:

VI AC Input Voltage 占高电平时间的百分比
-0.3V 100%
-0.4V 100%
-0.5V 86%
-0.6V 49%
-0.7V 28%
-0.8V 16%
-0.9V 9.23%
-1.0V 5.27%
-1.1V 3%
VCCIO+0.4 100%
VCCIO+0.5 86%
VCCIO+0.6 49%
VCCIO+0.7 28%
VCCIO+0.8 16%
VCCIO+0.9 9.23%
VCCIO+1.0 5.27%
VCCIO+1.1 3%

设计要点:

  1. 信号完整性: 确保信号边沿单调,避免过冲和下冲
  2. 周期限制: UI的周期(T)不超过20us
  3. 阻抗匹配: 通过阻抗匹配和端接来减少信号反射

1.0V电平输入配置

应用场景:

EF3器件IO支持在3.3V或者2.5V VCCIO BANK输入1.0V/1.8V电平。

硬件前置条件:

  1. 外置Vref参考电平输入:
    • 1.0V高电平时,参考电平为0.5V
    • 1.8V高电平时,参考电平为0.9V

限制说明:

  1. 输入的参考电平只对该bank有效
  2. 任何一个bank都可以设置参考电平
  3. 可以同时设置两个参考电平
  4. Vref电平不可超过bank电压的一半
  5. 激励信号应该大于等于Vref电平的两倍

软件配置说明:

  1. 打开TD软件,双击IO Constraint
  2. 对参考电平ref_voltage选择好bank和Location
  3. 在IOStandard里选择VREF1_DRIVER或者VREF2_DRIVER(分别对应参考电平1和参考电平2)
  4. 对应输入的激励信号test_signal,选择好bank和Location
  5. 在IOStandard里选择:
    • LVCMOS10V33: 1.0V高电平,bank电压为3.3V
    • LVCMOS10V25: 1.0V高电平,bank电压为2.5V
    • LVCMOS18V33: 1.8V高电平,bank电压为3.3V

配置示例:

如果输入激励信号1.0V为高电平,0V为低电平,bank为3.3V:

差分IO设计指导

LVDS33 LVDS25接口设计

基本特性:

参数 描述 测试条件 最小 典型 最大 单位
V_IP, V_IN 输入电平 VCCIO=2.5V 0 2.4 V
    VCCIO=3.3V 0.45 3.2 V
V_ID 输入差分摆幅 |V_IP - V_IN|, RT = 100Ω 150 350 mV
    VCCIO=3.3/2.5V        
V_ICM 输入共模电压 VCCIO=2.5V 0.05 2.35 V
    VCCIO=3.3V 0.6 3.15 V
I_IN 输入电流 上电过程 ±15 uA
RT 片内端接差分电阻 80 100 120 Ω
V_OO 标准差分输出摆幅 |V_OP - V_ON|, RT = 100Ω 150 250 mV
    VCCIO=3.3/2.5V        
ΔV_OO 差分输出摆幅变化 50 mV
V_OCM 输出共模电压 (V_OP + V_ON)/2, RT = 100Ω 0.6 1.4 V
    VCCIO=2.5V        
ΔV_OCM 输出共模电压偏差 50 mV

器件支持情况:

器件系列 内部100Ω电阻支持情况
EF3L40, EF3L90 BANK0/2的所有引脚(不包括EF3L90 BANK2的Y1、R6、W1、T6)内部带有100Ω差分输入电阻
EF3LA0, EF3L70, EF3L50 具体内部100Ω电阻支持情况请参考数据手册
其他IOBANK 不存在100Ω电阻,使用时需要外部加100Ω电阻

设计要点:

  1. True LVDS: 只有具有真差分标识的管脚对可以作为真差分对使用,支持True LVDS输出
  2. Emulated LVDS: True LVDS与Emulated LVDS均可作为LVDS25标准输入
  3. 最大输入频率: 400 MHz (800 Mbps)

直流耦合电路:

交流耦合推荐电路:

True LVDS输出:

Emulated LVDS输出:

Emulated LVDS推荐电阻值:

RS (Ω) RP (Ω) LVDSE25 (mV) LVDSE33 (mV)
300 118 195 256
210 127 270 355
150 140 365 483
115 160 460 610

布线要求:

LVDS18接口设计

基本特性:

参数 描述 测试条件 最小 典型 最大 单位
V_IP, V_IN 输入电平 VCCIO=1.8V 0.3 1.5 V
V_ID 输入差分摆幅 |V_IP - V_IN|, RT = 100Ω, VCCIO=1.8V 150 350 800 mV
V_ICM 输入共模电压 VCCIO=1.8V 0.6 0.9 1.4 V
I_IN 输入电流 上电过程 ±15 uA
RT 片内端接差分电阻 VCCIO=1.8V 70 125 Ω
V_DD 标准差分输出摆幅 |V_OP - V_ON|, RT = 100Ω, VCCIO=1.8V 150 250 350 mV
ΔV_DD 差分输出摆幅变化 50 mV
V_OCM 输出共模电压 (V_OP + V_ON)/2, RT = 100Ω, VCCIO=1.8V 0.7 0.9 1.0 V
ΔV_OCM 输出共模电压偏差 50 mV

设计要点:

  1. 推荐器件: EF3L50/70/A0推荐使用此方案
  2. 大摆幅限制: 当差分输入摆幅大于500mV,只能使用外接100Ω差分电阻
  3. BANK电压要求: 使用LVDS18的BANK供电电压应≥1.8V

LVPECL接口设计

基本特性:

参数 描述 测试条件 最小 典型 最大 单位
V_IP, V_IN 输入电平 VCCIO=3.3V 0 2.95 V
V_ID 输入差分摆幅 |V_IP - V_IN|, VCCIO=3.3V 100 1600 mV
V_ICM 输入共模电压 VCCIO=3.3V 0.3 2.9 V

设计要点:

  1. 输入支持: EF3系列IOB支持LVPECL33输入
  2. 电平转换:
    • 如果对端器件是2.5V,可以直接输入
    • 如果对端器件是3.3V,共模电压要往下拉到2V,建议使用外接匹配电阻网络,不要使用内部电阻
  3. 输出限制: IOB管脚不支持True LVPECL33输出,只支持LVPECL33_E输出
  4. 端接电阻: LVPECL接收不能使用芯片内部100Ω电阻

LVPECL输入推荐电路:

直流耦合:

交流耦合:

布线要求:

时钟IO设计

全局时钟输入

基本特性:

  1. 全局时钟网络: GCLKIO为全局时钟引脚,可直接上全局时钟网络
  2. 数量限制: 最多只有16个可以上全局时钟网络
  3. 差分时钟: 差分信号如需上全局时钟网络,要求p/n端都接上,并在软件物理约束中设置为LVDS25/LVDS33

设计要点:

  1. 优先使用: 建议走全局时钟专用管脚(GCLKIO),以获得最佳时钟性能
  2. 时钟网络: 全局时钟资源包含专用的时钟输入、缓冲器和布线网络,提供低延迟、低偏斜、互联的全局时钟网络

PLL专用管脚

基本特性:

  1. PLL专用: GPLLINP/N和GPLLOUTP/N为锁相环专用管脚
  2. 普通IO: 如果不用作差分使用,可以用作普通IO
  3. PLL直接连接: PLL专用引脚可以直接上PLL,但不能直接上全局时钟网络

设计要点:

  1. PLL输入: GPLLINP/N用作PLL参考时钟输入
  2. PLL输出: GPLLOUTP/N用作PLL输出时钟
  3. 反馈时钟: GPLLIP_FDB/GPLLIN_FDB用作PLL反馈时钟输入

时钟信号质量要求

设计要点:

  1. 信号质量:
    • 加载相关的时钟信号(包括JTAG加载的TCK,从串、从并加载的SCLK等)
    • 要求这些信号边沿单调无回沟
    • 建议在时钟源端串接一个电阻,用于调整阻抗匹配,提高信号质量
  2. 时钟源: 选择高质量的时钟源,避免时钟抖动和噪声

  3. 阻抗匹配: 时钟走线应做好阻抗匹配,减少反射

各封装时钟引脚映射

CG642B时钟相关引脚 (EF3LA0CG642B):

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
C13 IO_L44P_0,SCL,GCLKIO_2 全局时钟输入
C14 IO_L44N_0,SDA,GCLKIO_3 全局时钟输入
F13 IO_L13P_0,GCLKIOL_0 全局时钟输入
E13 IO_L13N_0,GCLKIOL_1 全局时钟输入
E21 IO_L31P_0,GPLL1_OUT2P PLL 专用输出
D21 IO_L31N_0,GPLL1_OUT2N PLL 专用输出
A25 IO_L33P_0,GPLL1_OUT1P PLL 专用输出
B25 IO_L33N_0,GPLL1_OUT1N PLL 专用输出
D8 IO_L36P_0,GPLL0_OUT1P PLL 专用输出
E8 IO_L36N_0,GPLL0_OUT1N PLL 专用输出
D5 IO_L1P_0,GPLL0_OUT2P PLL 专用输出
D4 IO_L1N_0,GPLL0_OUT2N PLL 专用输出
T24 IO_TE12P_1,GCLKIOT_0 全局时钟输入
T23 IO_TE12N_1,GCLKIOT_1 全局时钟输入
U24 IO_TE14P_1,GCLKIOT_2 全局时钟输入
U23 IO_TE14N_1,GCLKIOT_3 全局时钟输入
E23 IO_TE34P_1,GPLL1IP_REF PLL 参考输入
E24 IO_TE34N_1,GPLL1IN_REF PLL 参考输入
AB13 IO_RE15P_2,GCLKIOR_0 全局时钟输入
AA13 IO_RE15N_2,GCLKIOR_1 全局时钟输入
AD13 IO_RE17P_2,GCLKIOR_2 全局时钟输入
AD14 IO_RE17N_2,GCLKIOR_3 全局时钟输入
Y4 IO_BE8P_3,GCLKIOB_0 全局时钟输入
Y5 IO_BE8N_3,GCLKIOB_1 全局时钟输入
U3 IO_BE10P_4,GCLKIOB_2 全局时钟输入
U4 IO_BE10N_4,GCLKIOB_3 全局时钟输入
F2 IO_BE12P_5,GPLL0IP_REF PLL 参考输入
G2 IO_BE12N_5,GPLL0IN_REF PLL 参考输入
K5 IO_BE16P_5,GCLKIOB_4 全局时钟输入
K6 IO_BE16N_5,GCLKIOB_5 全局时钟输入
B12 IO_M27_6,GCLKIOM_0 全局时钟输入
A12 IO_M28_6,GCLKIOM_1 全局时钟输入
A14 IO_M3_7,GCLKIOM_2 全局时钟输入
B14 IO_M4_7,GCLKIOM_3 全局时钟输入

CG484B时钟相关引脚 (EF3LA0CG484B):

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
B1 IO_L1P_0,GPLL0_OUTP2 PLL专用输出
A2 IO_L1N_0,GPLL0_OUTN2 PLL专用输出
B3 IO_L5P_0,GPLL0_OUTP1 PLL专用输出
A4 IO_L5N_0,GPLL0_OUTN1 PLL专用输出
B10 IO_L19P_0,GCLKIOL_0 全局时钟输入
A10 IO_L19N_0,GCLKIOL_1 全局时钟输入
B12 IO_L24P_0,SCL,GCLKIOL_2 全局时钟输入
A12 IO_L24N_0,SDA,GCLKIOL_3 全局时钟输入
A20 IO_L42P_0,GPLL1_OUTP2 PLL专用输出
B21 IO_L42N_0,GPLL1_OUTN2 PLL专用输出
A21 IO_L44P_0,GPLL1_OUTP1 PLL专用输出
B22 IO_L44N_0,GPLL1_OUTN1 PLL专用输出
C21 IO_TE1P_1,GPLL1IP_FDB PLL反馈输入
C22 IO_TE1N_1,GPLL1IN_FDB PLL反馈输入
D22 IO_TE3P_1,GPLL1IP_REF PLL参考输入
D21 IO_TE3N_1,GPLL1IN_REF PLL参考输入
M22 IO_TE25P_1,GCLKIOT_0 全局时钟输入
M21 IO_TE25N_1,GCLKIOT_1 全局时钟输入
N22 IO_TE29P_1,GCLKIOT_2 全局时钟输入
P21 IO_TE29N_1,GCLKIOT_3 全局时钟输入
AA10 IO_RE21P_2,GCLKIOR_0 全局时钟输入
AB10 IO_RE21N_2,GCLKIOR_1 全局时钟输入
AB12 IO_RE27P_2,GCLKIOR_2 全局时钟输入
AA12 IO_RE27N_2,GCLKIOR_3 全局时钟输入
E4 IO_BE3P_5,GPLL0IP_FDB PLL反馈输入
F5 IO_BE3N_5,GPLL0IN_FDB PLL反馈输入
C1 IO_BE5P_5,GPLL0IP_REF PLL参考输入
D2 IO_BE5N_5,GPLL0IN_REF PLL参考输入
L1 IO_BE5P_4,GCLKIOB_2 全局时钟输入
M2 IO_BE5N_4,GCLKIOB_3 全局时钟输入
G2 IO_BE11P_5,GCLKIOB_4 全局时钟输入
G1 IO_BE11N_5,GCLKIOB_5 全局时钟输入
U2 IO_BE18P_3,GCLKIOB_0 全局时钟输入
V1 IO_BE18N_3,GCLKIOB_1 全局时钟输入

CG400B时钟相关引脚 (EF3L90CG400B):

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
G7 IO_LE2P_0,GPLL0_OUTP PLL专用输出
F7 IO_LE2N_0,GPLL0_OUTN PLL专用输出
B10 IO_L21P_0,GCLKIOL_0 全局时钟输入
A10 IO_L21N_0,GCLKIOL_1 全局时钟输入
C11 IO_LE24P_0,GCLKIOL_2 全局时钟输入
D11 IO_LE24N_0,GCLKIOL_3 全局时钟输入
G14 IO_LE40P_0,GPLL1_OUTP PLL专用输出
F14 IO_LE40N_0,GPLL1_OUTN PLL专用输出
C19 IO_TE3P_1,GPLL1IP_REF PLL参考输入
E17 IO_TE3N_1,GPLL1IN_REF PLL参考输入
D17 IO_TE1P_1,GPLL1IP_FDB PLL反馈输入
C18 IO_TE1N_1,GPLL1IN_FDB PLL反馈输入
K19 IO_TE18P_1,GCLKIOT_0 全局时钟输入
K20 IO_TE18N_1,GCLKIOT_1 全局时钟输入
L19 IO_TE22P_1,GCLKIOT_2 全局时钟输入
L20 IO_TE22N_1,GCLKIOT_3 全局时钟输入
W9 IO_RE22P_2,GCLKIOR_0 全局时钟输入
Y9 IO_RE22N_2,GCLKIOR_1 全局时钟输入
Y12 IO_RE24P_2,GCLKIOR_2 全局时钟输入
W12 IO_RE24N_2,GCLKIOR_3 全局时钟输入
C2 IO_BE4P_5,GPLL0IP_FDB PLL反馈输入
C1 IO_BE4N_5,GPLL0IN_FDB PLL反馈输入
D2 IO_BE6P_5,GPLL0IP_REF PLL参考输入
D1 IO_BE6N_5,GPLL0IN_REF PLL参考输入
E2 IO_BE8P_5,GCLKIOB_4 全局时钟输入
E1 IO_BE8N_5,GCLKIOB_5 全局时钟输入
U1 IO_BE8P_3,GCLKIOB_0 全局时钟输入
U2 IO_BE8N_3,GCLKIOB_1 全局时钟输入
L1 IO_BE4P_4,GCLKIOB_2 全局时钟输入
L2 IO_BE4N_4,GCLKIOB_3 全局时钟输入

CG332B时钟相关引脚 (EF3L40CG332B):

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
B9 IO_L17P_0,GCLKIOL_0_0 全局时钟输入
A9 IO_L17N_0,GCLKIOL_1_0 全局时钟输入
C11 IO_LE20P_0,GCLKIOL_2_0 全局时钟输入
A12 IO_LE20N_0,GCLKIOL_3_0 全局时钟输入
K17 IO_TE17P_1,GCLKIOT_0_1 全局时钟输入
L17 IO_TE17N_1,GCLKIOT_1_1 全局时钟输入
J19 IO_TE19P_1,GCLKIOT_2_1 全局时钟输入
J20 IO_TE19N_1,GCLKIOT_3_1 全局时钟输入
V9 IO_RE18P_2,GCLKIOR_0_2 全局时钟输入
W9 IO_RE18N_2,GCLKIOR_1_2 全局时钟输入
Y12 IO_RE16P_2,GCLKIOR_2_2 全局时钟输入
W12 IO_RE16N_2,GCLKIOR_3_2 全局时钟输入
R2 IO_BE6P_3,GCLKIOB_0_3 全局时钟输入
R3 IO_BE6N_3,GCLKIOB_1_3 全局时钟输入
M1 IO_BE8P_4,GCLKIOB_2_4 全局时钟输入
M2 IO_BE8N_4,GCLKIOB_3_4 全局时钟输入
G3 IO_BE9P_5,GCLKIOB_4_5 全局时钟输入
G2 IO_BE9N_5,GCLKIOB_5_5 全局时钟输入
A2 IO_LE2P_0,GPLL0_OUTP PLL专用输出
B2 IO_LE2N_0,GPLL0_OUTN PLL专用输出
A19 IO_LE33P_0,GPLL1_OUTP PLL专用输出
B18 IO_LE33N_0,GPLL1_OUTN PLL专用输出
E3 IO_BE13P_5,GPLL0IP_FDB PLL反馈输入
E2 IO_BE13N_5,GPLL0IN_FDB PLL反馈输入
E1 IO_BE11P_5,GPLL0IP_REF PLL参考输入
F3 IO_BE11N_5,GPLL0IN_REF PLL参考输入
D18 IO_TE1P_1,GPLL1IP_FDB PLL反馈输入
D19 IO_TE1N_1,GPLL1IN_FDB PLL反馈输入
E1 IO_BE11P_5,GPLL0IP_REF PLL参考输入
F3 IO_BE11N_5,GPLL0IN_REF PLL参考输入
D20 IO_TE3P_1,GPLL1IP_REF PLL参考输入
E18 IO_TE3N_1,GPLL1IN_REF PLL参考输入

EF3L15CG256B时钟相关引脚:

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
A9 IO_L7P_0,GCLKIOL_0,#NHP 全局时钟输入(GCLKIOL)
C9 IO_L7N_0,GCLKIOL_1,#NHP 全局时钟输入(GCLKIOL)
C8 IO_L9P_0,GCLKIOL_2,#NHP 全局时钟输入(GCLKIOL)
A8 IO_L9N_0,GCLKIOL_3,#NHP 全局时钟输入(GCLKIOL)
H14 IO_TE12P_1,GCLKIOT_0 全局时钟输入(GCLKIOT)
H16 IO_TE12N_1,GCLKIOT_1 全局时钟输入(GCLKIOT)
G11 IO_TE11P_1,GCLKIOT_2 全局时钟输入(GCLKIOT)
H12 IO_TE11N_1,GCLKIOT_3 全局时钟输入(GCLKIOT)
T7 IO_R8P_2,GCLKIOR_0 全局时钟输入(GCLKIOR)
R8 IO_R8N_2,GCLKIOR_1 全局时钟输入(GCLKIOR)
T9 IO_R10P_2,GCLKIOR_2 全局时钟输入(GCLKIOR)
P9 IO_R10N_2,GCLKIOR_3 全局时钟输入(GCLKIOR)
E1 IO_BE8P_5,GCLKIOB_0 全局时钟输入(GCLKIOB)
F2 IO_BE8N_5,GCLKIOB_1 全局时钟输入(GCLKIOB)
J1 IO_BE8P_4,GCLKIOB_2 全局时钟输入(GCLKIOB)
J3 IO_BE8N_4,GCLKIOB_3 全局时钟输入(GCLKIOB)
L2 IO_BE6P_3,D4,GCLKIOB_4 全局时钟输入(GCLKIOB)
M1 IO_BE6N_3,D5,GCLKIOB_5 全局时钟输入(GCLKIOB)
L16 IO_TE2P_1,GPLL2IP PLL2专用输入
L14 IO_TE2N_1,GPLL2IN PLL2专用输入
R13 IO_R16P_2,GPLL2_OUTP PLL2专用输出
T14 IO_R16N_2,GPLL2_OUTN PLL2专用输出
E9 IO_L6N_0,DPCLKIO 专用时钟I/O
E6 IO_L11P_0,DPCLKIO 专用时钟I/O
J12 IO_TE9N_1,DPCLKIO,#NHP 专用时钟I/O
F14 IO_TE14P_1,DPCLKIO,#NHP 专用时钟I/O
M11 IO_R9N_2,DPCLKIO 专用时钟I/O
P10 IO_R11P_2,DPCLKIO 专用时钟I/O
L1 IO_BE2P_3,DPCLKIO 专用时钟I/O
J5 IO_BE7P_4,DPCLKIO 专用时钟I/O

EF3L50CG256B时钟相关引脚:

管脚位号 管脚名称(主功能) 时钟类型
C8 IO_L9P_0,GCLKIOL_0 全局时钟输入
A8 IO_L9N_0,GCLKIOL_1 全局时钟输入
A9 IO_L7P_0,GCLKIOL_2,SCL 全局时钟输入
C9 IO_L7N_0,GCLKIOL_3,SDA 全局时钟输入
H14 IO_TE15P_1,GCLKIOT_0 全局时钟输入
H16 IO_TE15N_1,GCLKIOT_1 全局时钟输入
J15 IO_TE10P_1,GCLKIOT_2 全局时钟输入
K16 IO_TE10N_1,GCLKIOT_3 全局时钟输入
T7 IO_TE17P_2,GCLKIOR_0 全局时钟输入
R8 IO_TE17N_2,GCLKIOR_1 全局时钟输入
T9 IO_TE19P_2,GCLKIOR_2 全局时钟输入
P9 IO_TE19N_2,GCLKIOR_3 全局时钟输入
L2 IO_BE1P_3,GCLKIOB_0 全局时钟输入
M1 IO_BE1N_3,GCLKIOB_1 全局时钟输入
J1 IO_BE8P_4,GCLKIOB_2 全局时钟输入
J3 IO_BE8N_4,GCLKIOB_3 全局时钟输入
E1 IO_BE8P_5,GCLKIOB_4 全局时钟输入
F2 IO_BE8N_5,GCLKIOB_5 全局时钟输入
A4 IO_L13P_0,GPLL0_OUTP1 PLL专用输出
C5 IO_L13N_0,GPLL0_OUTN1 PLL专用输出
A3 IO_L15P_0,GPLL0_OUTP2 PLL专用输出
B4 IO_L15N_0,GPLL0_OUTN2 PLL专用输出
B13 IO_L17P_0,GPLL1_OUTP1 PLL专用输出
A14 IO_L17N_0,GPLL1_OUTN1 PLL专用输出
F10 IO_L20P_0,GPLL1_OUTP2 PLL专用输出
D11 IO_L20N_0,GPLL1_OUTN2 PLL专用输出
D16 IO_TE21P_1,GPLL1IP_REF PLL参考输入
E14 IO_TE21N_1,GPLL1IN_REF PLL参考输入
E2 IO_BE4P_5,GPLL0IP_REF PLL参考输入
E3 IO_BE4N_5,GPLL0IN_REF PLL参考输入

SSO同时开关输出限制

SSO概念

SSO(Simultaneous Switching Output)是指同时开关输出。受封装寄生等因素影响,当使用大电流驱动能力、快速压摆率时,指定的封装只允许有限数目的输出同时翻转。SSO是造成地线反弹和交调干扰的根源,每个Bank的SSO个数不允许超过最多数量的限制。

SSO计算方法

步骤1: 确定BANK的VCCIO/GND对数量

步骤2: 根据IO电平标准、驱动能力、Slew Rate查找SSO Limit per VCCIO/GND Pair

步骤3: 计算实际使用的IO数量和权重

步骤4: 确保总权重不超过VCCIO/GND对数量

SSO权重计算:

每对VCCIO/GND支持的特定驱动能力和压摆率的数量的倒数定义为权重。

计算公式:

总权重 = Σ(单个IO权重 × 使用数量)

如果总权重 < VCCIO/GND对数量,则符合SSO要求。

EF3L40 BANK0 SSO限制示例

LVCMOS33 SSO限制计算:

VCCIO I/O Standard Drive Strength(mA) Slew Rate SSO Limit 权重 使用数量 小计
3.3V LVCMOS33 4 Slow 16 1/16 15 0.94
3.3V LVCMOS33 8 Slow 10 1/10 9 0.90
3.3V LVCMOS33 12 Slow 3 1/3 3 1.00
3.3V LVCMOS33 16 Slow 2 1/2 1 0.50
合计           28 3.34

计算过程:

总权重 = 1/16×15 + 1/10×9 + 1/3×3 + 1/2×1 = 0.9375 + 0.9 + 1.0 + 0.5 = 3.34

EF3L40 Bank0 VCCIO/GND Pairs数量 = 4

结论: 3.34 < 4 ✓ 该组合情况符合SSO要求

SSO缓解措施

  1. BANK电源隔离: 通过良好的PCB设计降低SSO带来的电源噪声

  2. 退耦电容: 电源IO配置退耦电容等方法可以降低SSO带来的电源噪声

  3. 敏感信号保护: PROGRAMN等噪声干扰敏感信号加上拉保护

  4. 逻辑设计优化:
    • 在芯片启动瞬间延缓同步输出IO数量
    • 启动后延迟几个时钟周期后再打开IO输出
    • 有助于降低启动瞬间SSO风险
  5. 输出分散: 输出IO选择时请尽量把大驱动能力的输出在同一个Bank中分散排布

DDRx2支持

器件支持情况

EF3L40:

EF3L90:

EF3LA0、EF3L70、EF3L50:

设计建议

  1. 在使用DDRx2功能时,请仔细核对引脚是否支持

  2. 避开不支持的引脚,选择支持DDRx2的引脚进行设计

  3. DDRx2功能用于高速DDR接口设计,需仔细约束时序

七.封装热参数

封装热阻参数

封装热阻参数表:

封装 封装尺寸 θJC(℃/W) θJB(℃/W) θJA(℃/W) Effective - θJA(℃/W)    
  (mm)       @250LFM @500LFM @750LFM
EF3L40CG324 15×15 15.06 11.43 30.12 27.51 26.47 25.82
EF3L40CG332 17×17 13.6 19.38 26.98 24.383 23.362 22.724
EF3L50CG256 14×14 11.487 21.271 31.468 27.480 26.309 25.543
EF3L70CG256 14×14 11.487 21.271 31.468 27.480 26.309 25.543
EF3L90CG324 15×15 15.06 11.43 30.12 27.51 26.47 25.82
EF3L90CG400 17×17 12.8 22.99 34.32 - - -
EF3LA0CG484 19×19 11.095 24.014 34.101 30.063 28.853 27.969
EF3LA0CG642 23×23 9.97 22.29 32.53 27.99 26.82 25.95

热设计要点

  1. 结温计算: 根据封装热阻参数计算芯片结温

  2. 温度限制: 考虑环境温度和功耗,确保结温不超过最大值(125℃)

  3. 高温应用: 高温应用场景需要考虑散热设计

  4. 散热设计: 建议在PCB设计时预留散热区域

  5. 热管理: 根据实际功耗和热阻,设计合适的散热方案

八.PCB设计指导

去耦电容布局

BGA芯片电源pin下方:

  1. 尽量保证每个pin放置1个去耦电容

  2. 小容量的电容靠近管脚放置

  3. 对于较大容值或大封装电容,允许排布在BGA芯片外围

  4. 电解电容建议放在开关电源芯片附近

电容选择:

  1. 优先选择ESR小的电容,以优化PDN

  2. 电容材质推荐优先选择X7R、X5R

退耦电容数量 (以EF3L90CG400为例):

电源域 4.7uF 0.47uF 0.1uF
VCCAUX 1 9 -
VCCIO 1 - 19

电源平面设计

走线宽度和过孔:

  1. 对于1oz铜箔,常温应用场景下,按照1mm(40mil)线宽承载1A电流

  2. 高温应用场景需降额处理

  3. 过孔孔径与承载电流关系:

Imax = D × 0.08 (mA)

其中D为孔径,单位mil。

电源平面布局:

  1. 电源平面应该从电源芯片位置平铺到负载

  2. 中间减少换层

  3. 避免不合理的电源平面换层

VIPPO工艺:

  1. pad直接打孔到底层,不需要扇出操作

  2. 电容焊盘放置在过孔上,避免走线连接

电容与内层平面连接:

  1. 电容管脚与电源层之间的过孔数量越多,去耦效果越好

  2. 在电容管脚与过孔之间的走线存在电感,会弱化去耦效果

  3. 走线越长,电感越大,会使信号回路等效阻抗变大

  4. VIPPO工艺的PCB优先尝试焊盘下打孔

  5. 电容的每个管脚建议放置过孔,尽量避免电容之间共用过孔

走线处理方式

单端走线方式:

  1. 对于从BGA ball之间单端引出的情况,走线需要尽量短

  2. BGA空间紧张,可以做neck处理,选择更细的引出线

差分走线方式:

  1. 对于从BGA ball之间差分引出的情况,需要考虑PN skew

  2. 引出方式应在离开BGA区域后就保持PN match

  3. BGA空间紧张,可以做neck处理,选择更细的引出线

  4. 差分链路的耦合电容端接电阻摆放位置要求不允许走线存在stub

  5. 焊盘应当串入走线,避免走线分叉

过孔设计

过孔分类:

  1. 电源类过孔: GND过孔、VCC过孔

  2. 信号类过孔: 普通IO换层孔

  3. 普通过孔: 其他用途

GND过孔:

  1. 主要用于BGA区域的过孔

  2. 布线层放antipad,不放置焊盘

  3. 直接在过孔类型里添加,后期设计中在保证避让空间足够的情况下,有更多布线区域

  4. 可用于BGA下方GND、VCC等

  5. 一般电源电容电阻附近的过孔

  6. 能够增加BGA下方过孔之间走线区域

信号类过孔:

  1. plane层放置antipad,非引线层也放antipad

  2. 只在需要走线的层放焊盘

  3. 减轻后期摘焊盘任务量

  4. 可以降低焊盘带来的电容,优化过孔性能

  5. 给电源平面留有更多的电流路径,优化电源性能

  6. 可用于BGA下方普通IO、普通换层孔、扇出部分密集走线区域的信号孔

九.设计检查清单

根据EF3系列FPGA硬件设计,建议按照以下检查清单进行设计验证:

电源设计检查

IO设计检查

PCB设计检查

十.快速导航

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免责声明:

本文档整合了安路科技官方发布的相关资料,仅供参考。实际设计时,请以官方最新发布的数据手册和设计指南为准。